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透明导电膜、透明导电膜用靶及透明导电膜用靶的制造方法

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摘要

本发明提供透明导电膜，相对于透明导电膜总重量，包括：0.01~10重量%的包含从由钽化合物、铌化合物及钒化合物构成的组中选择的一种或两种以上物质的添加剂；90~99.99重量%的铟锡氧化物（ITO）。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-09-23

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01B1/02 申请公布日:20130410 申请日:20110603

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-05-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01B1/02 申请日:20110603

实质审查的生效
2013-04-10

公开

公开

1. 透明导电膜、透明导电膜用靶及透明导电膜用靶的制造方法 [P] . 中国专利： CN103038834A . 2013-04-10
2. 透明导电膜制造用烧结体靶及使用其制造的透明导电膜 [P] . 中国专利： CN101024874A . 2007-08-29
3. Oxide sintered body target, the production method of the target, method for producing a transparent conductive film and a transparent conductive film [P] . 日本专利： JP5416991B2 . 2014-02-12

机译：氧化物烧结体靶，靶的制造方法，透明导电膜的制造方法和透明导电膜
4. ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM FORMING MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, TARGET USING THE SAME AND METHOD OF FORMING ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM [P] . 日本专利： JP2011207742A . 2011-10-20

机译：氧化锌透明导电膜的形成材料，其制造方法，使用该靶的靶和形成氧化锌透明导电膜的方法
5. Sputtering composite target, method for manufacuturing transparent conductive film using the same and transparent conductive film-provided base material [P] . 美国专利： US8338002B2 . 2012-12-25

机译：溅射复合靶，使用该靶的透明导电膜的制造方法以及具有透明导电膜的基材