要解决的问题:提供一种用于平板显示器等的显示电极的透明导电膜,当形成ITO基非晶形透明导电膜时,可以在不添加水的情况下生产透明导电膜。本发明提供了一种溅射方法,具有高蚀刻性能和低结晶温度,并且在结晶后具有高水平的低电阻率和高透射率,并提供了在形成透明导电膜时不会引起异常放电的烧结靶。溅射法。
解决方案:烧结靶以氧化铟为主成分,且Ge /(Ge + In)以原子%计为6-16%的量的Ge具有其他各种特性。通过在预定条件下溅射靶而获得非晶透明导电膜。通过使非晶质透明导电膜退火而获得结晶质透明导电膜。
版权:(C)2010,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP5416991B2
专利类型
公开/公告日2014-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 JX日鉱日石金属株式会社;
申请/专利号JP20090049735
申请日2009-03-03
分类号C23C14/08;C04B35/00;C23C14/34;H01B5/14;H01B13/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 16:13:34