机译:勘误表:“磁控溅射靶的腐蚀区对透明导电掺铝ZnO聚结晶膜的结构和电性能的空间分布的影响” p。应用物理124,065304(2018)]
Kochi Univ Technol, Res Inst, 185 Miyanokuchi, Kochi 7828502, Japan;
Kochi Univ Technol, Res Inst, 185 Miyanokuchi, Kochi 7828502, Japan;
Rigaku Corp, Xray Res Lab, 3-9-12 Matsubara, Akishima, Tokyo 1968666, Japan;
Rigaku Corp, Xray Res Lab, 3-9-12 Matsubara, Akishima, Tokyo 1968666, Japan;
Kochi Univ Technol, Res Inst, 185 Miyanokuchi, Kochi 7828502, Japan;
机译:磁控溅射靶腐蚀区对透明导电掺铝ZnO多晶膜结构和电性能空间分布的影响
机译:通过射频磁控旋转系统制备的Al掺杂ZnO透明导电膜的电气和光学性质
机译:氧浓度对脉冲直流磁控溅射沉积Al掺杂ZnO透明导电膜性能的影响
机译:电极间距和靶角对磁控共溅射制备的掺Al Zno薄膜元素浓度和薄膜性能的影响
机译:射频直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的透明导电掺铝ZnO多晶薄膜的载流子输运和晶体学取向特征
机译:错误:“磁控溅射靶侵蚀区域对透明导电ZnO多晶膜结构和电学空间分布的影响”J。苹果。物理。 124,065304(2018)