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曾云; 李晓磊; 张燕; 张国樑; 王太宏;
湖南大学物理与微电子科学学院;
短沟道; 绝缘衬底上硅; 双极MOS场效应晶体管; 阈值电压;
机译:具有高斯掺杂分布的总电离辐射短沟道FD-SOI MOSFET的阈值电压模型
机译:短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)UTB SOI MOSFET的阈值电压模型,包括衬底引起的表面电势效应
机译:短沟道全耗尽双材料栅极SOI MESFET的电势分布和阈值电压的二维建模
机译:利用背栅衬底引起的表面效应对长沟道和短沟道全耗尽SOI MOSFET的阈值电压进行建模
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:使用光反应性界面层通过局部沟道掺杂来调节有机薄膜晶体管的阈值电压
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应
机译:制造具有固定沟道阈值电压的SOI器件的方法
机译:使用多种沟道材料的具有多个阈值电压MOSFET的SOI芯片及其制造方法
机译:具有低阈值电压的短沟道沟槽功率MOSFET
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