PECVD SiO_2薄膜应力特性的研究

摘要

本文分析了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)SiO_2膜的淀积过程,用激光束偏转法测量衬底形变弯曲技术研究了SiO_2膜的应力特性,讨论了SiO_2膜的应力与膜厚、折射率、测量温度及退火温度的关系,最后分析了SiO_2膜本征应力的产生机制。