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郭文涛; 谭满清; 焦健; 郭小峰; 孙宁宁;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
PECVD; SiO2薄膜; 致密性; BOE腐蚀速率;
机译:通过PECVD方法在镁合金上生产SiO_2涂层以提高耐蚀性
机译:用于顶栅金属氧化物薄膜晶体管的堆叠PECVD SIO_2栅极绝缘体在增强操作模式下
机译:PECVD涂覆SiO_2样薄膜的铜基合金的光泽测试
机译:PECVD Al2O3薄膜的热稳定性研究,探讨了高温处理后通过加氢提高表面钝化的可能性
机译:等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统的设计和实现,该系统用于研究碳60聚合物复合薄膜和表面功能化对碳60的影响
机译:两种不同浓度的氧气用于培养致密化阶段的胚胎以提高人类胚胎的发育能力:一项前瞻性随机兄弟卵母细胞研究
机译:PECVD研究SINX薄膜的制备技术研究
机译:用于研究仪器的pECVD(等离子体增强化学气相沉积)金刚石薄膜
机译:通过多孔结构的薄膜沸腾提高致密性
机译:/系统和方法,用于在蒸汽中进行紫外线诱导,并至少部分地将薄膜转化为氧化硅和/或提高薄膜质量,并在氨气中通过紫外线固化对薄膜进行致密化
机译:通过蒸汽中的紫外线固化和氨的紫外线固化使薄膜致密化的方法,用于至少部分将薄膜转化为氧化硅和/或提高薄膜质量
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