Passivation; PECVD; defect density; electrical properties; re-hydrogenation;
机译:沉积温度对ALD和PECVD法合成Al2O3薄膜c-Si表面钝化的影响
机译:通过改善电性能和热稳定性来优化PECVD-ONO背面钝化层
机译:热ALD沉积Al2O3薄膜的沉积温度对硅表面钝化的影响
机译:PECVD Al2O3薄膜的热稳定性研究讨论高温过程后再氢化改善表面钝化的可能性
机译:Al2O3 /硅酮复合材料作为高温密封剂的热稳定性
机译:不同退火温度下硅上热原子层沉积Al2O3膜的钝化机理
机译:热aLD沉积al2O3薄膜沉积温度对硅表面钝化的影响