退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
李毓轩; 秦知福;
中国电子科技集团公司第四十六研究所;
氢化物气相外延; 氮化铝; 热力学; NH3和HCl流量比; 表面形貌;
机译:低温原子层沉积在ZnO纳米结构上的单晶AlN薄膜的制备
机译:通过新型生长技术“热解输运法”制备的AlN单晶的表征
机译:氢化物气相外延法原位刻蚀在蓝宝石上制备无裂纹的AlN薄膜
机译:(182-P187)使用Ga-Al助焊剂制备单晶ALN薄膜及其评价
机译:通过电沉积法为能量储存,催化和生物传感器应用的电沉积方法合理制备二硫化钼和金属掺杂钼二硫化薄膜
机译:逐层原位原子层退火法制备AlN超薄膜的低温原子层外延
机译:用化学溶液沉积法在mgO单晶衬底上制备双铜酸盐薄膜
机译:单晶的生长和GaN和alN晶片的制备
机译:卤化物气相相表观生长脉冲模式制备-Ga2O3薄膜的HVPE-Ga2O3方法
机译:卤化物气相相表观生长法制备-Ga2O3薄膜的HVPE-Ga2O3方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。