热灯丝CVD金刚石膜的微结构和形貌对其电子性质的影响(英文)

摘要

利用热灯丝 CVD法在硅衬底上合成出了金刚石膜。金刚石膜的质量和电子性质由扫描电 子显微镜、拉曼谱、阴极发光及霍尔系数测量来表征。实验结果表明，沉积条件对金刚石膜电子性 质和质量有重要影响。载流子迁移率随甲烷浓度增加而减少，但场发射随其增加而增强。压阻效 应随微缺陷增多而降低。异质外延金刚石膜压阻因子在室温下 100微形变时为 1200，但含有大量 缺陷的多晶金刚石膜压阻因子低于 200。这是由于薄膜中缺陷态密度增加，并依赖于膜结构的变 化。