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胡炜杰; 赵有文; 段满龙; 王应利; 王俊;
中国科学院半导体研究所;
InAs单晶; 衬底; 表面;
机译:在6H-SiC衬底上生长的AlN单晶的结构和表面形貌分析
机译:利用MOCVD法在取向不正确的GaAs衬底上生长的InAs量子点的光复合发射特性和表面形貌
机译:InAs / GaAs纳米结构中生长模式和表面形貌对As / In比和衬底温度的依赖性
机译:MOVPE生长的GaAs衬底上变质InAs(Sb)的表面形貌的生长温度和Sb流量依赖性
机译:纳米级形貌重构:伴随单晶金属表面反应的结构和形态变化。
机译:生长温度对Si衬底上InAs纳米线形貌和声子性质的影响
机译:Gaas衬底取向对Inas量子点的影响:表面形貌,临界厚度和光学性质
机译:在Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(x)sb(1-x)的表面形貌和电学性质
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:单晶碳化硅衬底的表面改性方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,单晶碳化硅衬底和离子注入退火方法,单晶碳化硅半导体衬底
机译:单晶碳化硅衬底的表面重整方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,离子注入和退火方法,以及单晶碳化硅衬底和单晶硅碳化硅衬底
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