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段树坤;
中国科学院半导体研究所;
GaInAs/InP; 量子阱结构; LP-MOVPE;
机译:低压MOVPE生长的GaInAs / InP单量子阱中的量子受限Stark效应
机译:MOVPE生长的InAs / In_(0.8)Ga_(0.2)As量子阱的InP基高电子迁移率晶体管中单δ掺杂和双δ掺杂的晶体管性能评估
机译:压缩应变对MOVPE生长的InAsP / InP单量子阱中砷掺入的影响
机译:MOVPE生长的InGaAs / InP多量子阱结构的界面粗糙度:横断面扫描隧道显微镜研究
机译:(111)A砷化镓上的压电铟砷化镓/砷化镓应变量子阱结构:MOVPE的生长,性质及其在半导体激光器中的应用。
机译:载流子传输效率及其对电信波长基于InP的量子点-量子阱结构的发射特性的影响
机译:111 A取向压电InGaAs / GaAs / AlGaAs高应变量子阱激光器结构的MOVPE生长和性能
机译:用mOVpE生长的压缩应变InGaas / Inp量子阱的红外发光(1.6-1.9μm)。
机译:量子阱结构和光学约束模量子阱结构,将以有机金属气相模为模,在生产方式良好的半导体空InP衬底上形成
机译:低温生长的InP诱导的InGaAsP结构中的量子阱混合
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