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LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料

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本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动.

著录项

来源
《半导体学报》 |1991年第9期|578-582|共5页
作者
段树坤; 熊飞克; 李学斌; 李晶; 王玉田; 江德生; 徐俊英; 万寿科; 钱家骏;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.26;
关键词
GnInAs/InP; 量子阱材料; 外延生长;

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