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袁定胜; 潘文杰; 刘冠昆; 刘鹏; 童叶翔;
中山大学化学与化学工程学院;
化学镀; 电沉积; 铋;
机译:用于金属-铁电-绝缘体-半导体结构的脉冲激光沉积低温制备SiO_2 / Si上的Sr_0.7Bi_2 + xTa_2O_9薄膜
机译:通过改进的脉冲激光沉积方法在5英寸直径的硅晶片上沉积Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜
机译:使用脉冲激光沉积在(001)LaAlO_3单晶上生长的纯锰掺杂无铅Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3外延薄膜的微波介电性能
机译:通过脉冲激光沉积在各种单晶基板上生长的无铅铁电Na0.5bi0.5bi0.5bi0.5bi0.5bi0.5bi0.53薄膜的外延生长和性能
机译:超快脉冲激光在半导体薄膜沉积和石墨光致剥落中的应用。
机译:硅晶片上Bi-Te薄膜的电沉积以及微孔玻璃模板上的微柱阵列
机译:随机取向(Bi,La)4Ti3O12薄膜的脉冲直流溅射法在铁电随机存取存储器件上的沉积
机译:沉积速率对脉冲激光烧蚀Bi2sr2CaCu2O(8 + x)和Bi2sr(1.6)La(0.4)CuO(66 + x)外延薄膜生长的影响。
机译:制造化合物半导体外延晶片的步骤包括:在金属基板上沉积硅薄膜;在硅缓冲层上沉积化合物半导体薄膜;以及使化合物半导体薄膜结晶化
机译:在基板上沉积薄膜,例如通过使用磁控管沉积目标材料的第一膜,并使用磁控管进行反应性物理气相沉积工艺沉积第二膜,从而在半导体器件中形成衬里或阻挡层
机译:用原子层沉积法将氧化物薄膜浸入到卤化物中的卤化物掺杂源,制造卤剂掺杂物的方法,使用原子沉积法沉积到材料上的氧化物,用原子沉积法沉积的氧化膜,用原子方法沉积的薄膜用卤化物氧化薄膜
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