蚀刻腔条件对刻蚀工艺的影响研究

摘要

在ULSI制造中蚀刻腔条件的变化是导致刻蚀工艺重复性差的一个重要原因。在刻蚀过程中,一层聚合物会淀积在蚀刻腔壁上。通过XPS分析得知,聚合物的主要成分为(CF2)n。实验过程发现不同的聚合物量会影响等离子体中CF2基团的浓度。聚合物越多,CF2浓度越高;反之,聚合物越少,CF2浓度就越低。在这种情况下,蚀刻腔上的聚合物被认为是等离子中CF2基团的一个源。CF2浓度的变化又导致最终刻蚀特性(CD,蚀刻率)的变化和工艺漂移。