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钟德刚; 徐静平; 高俊雄; 于军;
华中科技大学电子科学与技术系;
碳化硅; 6H—SiC肖特基势垒二极管; 宽禁带半导体; 肖特基势垒二极管; 直流磁控溅射; 碳化硅;
机译:在卤化物气相外延生长的n〜--Ga_2O_3漂移层上制造的Pt / Ga_2O_3(001)肖特基势垒二极管的温度相关电容电压和电流电压特性
机译:Pt / InN肖特基势垒二极管电流-电压特性的温度依赖性的隧穿解释
机译:氢对Pt / WOx / 6H-SiC结构元素电学特性的影响
机译:高电流密度下Ni / 6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)正向特性的精确建模
机译:在硅衬底上生长的异质外延3C碳化硅上的肖特基势垒二极管的电学特性。
机译:压头和磨料在不同固定方法下对6H-SiC变形特性的纳米力学分析
机译:Pt / InN肖特基势垒二极管的电流-电压特性与温度的关系
机译:pt-si肖特基势垒二极管中的二维雪崩击穿
机译:使用室温感测特性对Au Pt和Pd纳米粒子进行功能化的Au Pt Pd ZnO ZnO纳米线气体传感器及其制造方法
机译:降低OFDM信号中PAPR比的C-PTS,WAV-PTS和混合DCT方案的比较分析
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