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何启鸣;
湘潭大学;
Ga2O3; 肖特基势垒二极管; 制备; 电学;
机译:具有肖特基势垒二极管的天然缺陷的N掺杂β-GA2O3薄膜的进一步研究
机译:Ga2O3肖特基势垒二极管场板终止的仿真研究
机译:4H-SiC浮置肖特基势垒二极管的结构和电学特性的研究与优化仿真
机译:单晶β-Ga2O3(-201)衬底上的垂直Ga2O3肖特基势垒二极管
机译:在硅衬底上生长的异质外延3C碳化硅上的肖特基势垒二极管的电学特性。
机译:基于超宽带隙Ga2O3半导体的肖特基势垒二极管的概述用于电力电子应用
机译:PEALD法制备的β-Ga2O3薄膜的电学特性
机译:srTiO(sub 3)(100)上的外延pb(Zr(sub x)Ti(sub 1(minus)x))O(sub 3)/ srRuO(sub 3)(x = 0,0.35,0.65)多层薄膜通过mOCVD和RF溅射制备mgO(100)和mgO(100)
机译:基于Ga2O3的耐高压单晶肖特基势垒二极管
机译:逐步预处理方式制备-Ga2O3薄膜的-Ga2O3方法
机译:优异电热性能的-Ga2O3薄膜层的-Ga2O3制备方法
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