电感耦合等离子体(ICP)深刻蚀的模型与模拟

摘要

为对交替复合深刻蚀过程进行工艺仿真,本文利用鞘层近似模型,以离子辅助刻蚀和直接粒子刻蚀的组合来实现交替复合深刻蚀过程中的刻蚀步骤,辅以各向同性钝化过程,对电感耦合等离子体深刻蚀(硅片)进行了建模。本文采用单一的二维廓线"线算法"模型实现对刻蚀材料的区分,进而实现了对电感耦合等离子体深刻蚀的二维模拟和三维带状显示。其优点是相比元胞及混合模型算法统一,运行效率高、速度快,且模拟结果与实验相比较为理想。