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论文说明:图表目录
声明
第一章绪论
1.1 MEMS简介
1.2 MEMS加工技术
1.2.1表面微机械加工技术
1.2.2体微机械加工技术
1.2.3 LIGA技术
1.3电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术
1.3.1 ICP刻蚀装置
1.3.2 ICP模型
1.3.3刻蚀表面演化算法
1.3.4等离子体刻蚀硅片的机理与模型
1.3.5可用于等离子体刻蚀的现有模拟工具
1.4课题研究的背景与意义
1.5论文的主要工作
1.6本章小结
第二章ICP装置腔体内的气体分布模拟
2.1气体分布模拟的现有问题与困难
2.2 DSMC的要点
2.3模拟试验及参数设定
2.3.1模拟中的假设
2.3.2模拟参数的设定
2.4模拟结果与讨论
2.4.1模拟结果
2.4.2与已有模拟的比较
2.5本章小结
第三章ICP刻蚀中的单步反应离子刻蚀模型研究
3.1刻蚀表面几何模型
3.1.1线算法
3.1.2 2-D沟槽结构的刻蚀几何模型
3.2等离子体鞘层模型
3.2.1等离子体鞘层
3.2.2一种简化的鞘层离子模型
3.3入射离子流通量
3.4入射中性粒子流通量
3.5刻蚀反应
3.6刻蚀模型的归一化数值解法
3.7刻蚀速率的模拟结果与讨论
3.8本章小结
第四章交替复合深刻蚀(ICP TMDE)的模型研究
4.1交替复合深刻蚀
4.2刻蚀模型
4.3淀积模型
4.4单一线算法对不同刻蚀材料的区分
4.5几何修正及程序稳定性
4.6 Footing效应及其建模
4.7模拟与实验结果比较
4.7.1参数R的调整及其对入射离子流的影响
4.7.2 ICP复合深刻蚀的数值模拟及实验对比
4.7.3 Footing效应的模拟及实验对比
4.8本章小结
第五章总结与展望
致谢
参考文献
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