一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法

摘要

一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，对于同时刻蚀掉多个矩形和刻蚀透多个同一线宽或不同线宽组成的线形，将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(14)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的最小线形的线宽；该方法保证刻蚀条宽间的均一性，解决具有不同条宽结构刻蚀过程中Lag效应的问题，同时，当刻蚀完成时，中心非暴露区域(12)会掉到下面的支撑层(1)上，可以准确判断刻蚀已经完成。此项发明有效的防止具有不同刻蚀条宽的MEMS结构在ICP刻蚀中造成严重过度刻蚀。