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施左宇; 林成鲁; 朱文化; 邹世昌; 李金华;
中科院上海冶金研究所离子束开放实验室;
常州半导体厂;
SOI; 退火; 迁移率; 半导体材料; 器件;
机译:1300-1380摄氏度的退火温度和材料污染对CMOS / SIMOX器件特性的影响
机译:添加和退火温度对固溶In-Zn-Sn-O薄膜晶体管器件性能的影响
机译:室温下生长的沟道层的热退火温度对ZnO薄膜晶体管中器件性能的影响
机译:通过监测退火温度,CdCl_2活化处理对CdTe / CdS太阳能电池器件性能的多种影响
机译:引入多孔硅作为牺牲材料,以在SOI晶片的衬底中获得空腔,以及用于MEMS器件的吸气材料
机译:溶液温度介电材料对退火温度对Ni / AlOx / Pt RRAM器件的影响
机译:退火温度对旋涂法制备的Ag / n-Si / CuPc / Ag太阳能电池光学性能和器件性能的影响
机译:等离子体处理高临界温度超导材料和器件的激光退火。
机译:SOI衬底,其退火方法,具有该SOI衬底的半导体器件及其制造方法
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