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机译:添加和退火温度对固溶In-Zn-Sn-O薄膜晶体管器件性能的影响
School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Buk-gu, Daegu 702-701, Republic of Korea;
School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehakro, Buk-gu, Daegu 702-701, Republic of Korea;
Thin film transistor; IZTO; Sol-gel; Annealing;
机译:退火温度对固溶InGaZnO薄膜晶体管电性能的影响
机译:退火温度对Zn-SN-O薄膜晶体管的N-掺杂结构和电性能的影响
机译:拉曼光谱研究溶液加工IN2O3薄膜:退火温度对IN2O3半导体和薄膜晶体管特性的影响
机译:通过低温湿退火的外壳进行溶液处理的Zn-O薄膜晶体管的性能增强
机译:固溶处理后过渡金属氧化物半导体电子产品:高性能薄膜晶体管和/或低温处理薄膜
机译:具有固溶处理的金属氧化物半导体和介电膜的可穿戴式1 V工作薄膜晶体管通过低温深紫外光退火在低温下制成
机译:UV / O3辅助退火法低温制备含硅杂质的固溶InZnO薄膜晶体管