HfO_2薄膜的反应离子刻蚀特性研究

摘要

研究了HfO2 薄膜在CHF3 /Ar和SF6/Ar等气体中的反应离子刻蚀机理。结果表明刻蚀气体的组分和射频偏压对刻蚀速率有较大影响 ,而气体流量影响不大。CHF3 和SF6与HfO2 的反应产物具有较好的挥发性 ,Ar的引入不仅可以打破分子之间的键合促进刻蚀产物的形成 ,而且通过轰击加快产物从材料表面解吸 ,从而提高HfO2 刻蚀速率。AFM测量结果表明刻蚀降低了HfO2 表面粗糙度 ,显示刻蚀工艺对材料的低损伤。