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韩德栋; 康晋锋; 王成钢; 刘晓彦; 韩汝琦; 王玮;
北京大学微电子学研究所;
恒电流应力; 高κ; HfO2; 击穿;
机译:超薄SiO_2 / HfO_2双层栅介质的TDDB特性及击穿机理
机译:时间依赖性介质击穿和应力引起的泄漏电流对Gbit级DRAM高介电常数(Ba,Sr)TiO / sub 3 /薄膜电容器可靠性的影响
机译:超隧穿HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠中直接隧穿应力诱发的漏电流
机译:超薄HFO_2门介质的应力引起的漏电流和随时间的介电击穿特性。
机译:苯乙烯均聚以及乙烯与苯乙烯共聚单体共聚中的双金属作用。使用负载型茂金属的高能量存储密度金属氧化物-聚烯烃纳米复合材料的范围,动力学和机理/催化原位合成。纳米粒子,形状和界面特性对漏电流密度,介电常数和击穿强度的影响
机译:氧含量对底栅非晶InGaZnO薄膜晶体管电流应力诱导的不稳定性的影响
机译:恒电流应力下SiO2薄膜热击穿的新模型
机译:电介质击穿引起的等离子体中的电流流动
机译:半导体器件,能够改善击穿特性并保持绝缘栅双极晶体管的开关特性和低耐压性
机译:电介质层的大灾难前,应力引起的泄漏电流条件的检测
机译:利用栅二极管击穿引起的双极闩锁的高密度垂直SRAM单元
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