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韩德栋; 康晋锋; 杨红; 韩汝琦;
北京大学微电子所;
高介电常数栅介质; 二氧化铪薄膜; 软击穿;
机译:超薄SiO_2 / HfO_2双层栅介质的TDDB特性及击穿机理
机译:串联电阻对具有超薄EOT高k /金属栅叠层的MOSCAP的零时电介质击穿特性的影响
机译:氙闪光灯退火处理的超薄HfO_2薄膜用作晶体管栅介质的替代品
机译:超薄HFO_2栅极电介质的应力诱导漏电流和时间依赖性介电击穿特性
机译:高k HfO2栅介质的射频溅射ZnO薄膜晶体管制造条件的优化。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:超薄siO2和siON栅介质材料中陷阱产生和电击穿的物理特性
机译:高阻高磁化软薄膜的研制及薄膜电感的制作
机译:使用具有高电阻率,低矫顽力和高饱和磁通密度的软磁特性的软磁膜的薄膜磁头
机译:利用超薄膜电介质的击穿现象的半导体存储单元和存储阵列
机译:具有混合电介质调谐的纳米卷厚栅装置,用于高击穿和VT调制
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