科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
王伟; 冯哲; 候立刚; 吴武臣;
北京工业大学电控学院集成电路与系统研究室;
天线效应(PAE); 深亚微米; VLSI; 物理设计; 预布线; 迭代;
机译:适用于LHC实验的标准深亚微米CMOS技术中的耐辐射VLSI电路:实用设计方面
机译:使用浅沟槽隔离的深亚微米VLSI CMOS器件的闭式背栅偏置相关逆窄通道效应模型
机译:耦合对导线延迟的影响。深亚微米VLSI设计面临的挑战
机译:亚微米和深亚微米VLSI的高速基础库和宏库设计方法
机译:深亚微米VLSI设计中CMOS逻辑门的时序分析。
机译:具有最新fmax的深亚微米石墨烯场效应晶体管
机译:超深亚微米VLSI设计中的布局优化
机译:使用深亚微米超大规模集成(VLsI)技术的认知处理器设计的性能和功耗优化
机译:利用深亚微米物理效应设计的高速标准电池
机译:利用深亚微米物理效应设计的高速标准单元
机译:逻辑块混合低阈值电压MOSFET器件和普通阈值电压MOSFET器件,用于深亚微米VLSI设计
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。