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邓志杰;
北京有色金属研究总院;
GaAs/Si; 外延生长; GaAs; 半导体材料;
机译:使用a-GaAs / a-Si双缓冲层通过MOVPE在Si上异质外延生长GaAs
机译:1 MeV电子辐照后同质外延GaAs / GaAs和异质外延GaAs / Si太阳能电池的空间应用
机译:生长后退火对在GaAs(001)和Si(001)上生长的异质外延MnAs薄膜的影响
机译:Al / sub 2 / O / sub 3 /,Si和GaAs衬底上通过分子束外延生长的六方GaN异质外延层的光致发光研究
机译:金属有机气相外延法在Si衬底上异质外延生长GaAs。
机译:勘误:纳米种子在隧道氧化物上无缺陷的外延横向过生长而产生的高电流密度GaAs / Si整流异质结
机译:通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。
机译:Mesa释放和沉积(MRD)方法缓解Si上异质外延生长的GaAs中的应力
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:Si的三维局部外延生长与GaAs的局部过度生长
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