C波段1瓦硅功率晶体管

摘要

一、引言硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到 C 波段或 C 波段以上时,由于其频率性能的继续提高与输出功率、散热性能、二次击穿性能以及封装后的寄生参数等等都发生了尖锐的矛盾,器件的输出功率、增益和集电极效率随着工作频率的升高而急剧下降,明显地超出每倍频程下降6分贝的传统概念。于是,硅微波功率晶体管向 C 波段以上的更高频率的发展变得缓慢起来。