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C波段硅功率晶体管

摘要

C波段硅功率晶体管是一种用于微波波段的功率晶体管,该晶体管结构为NPN型,在一个N极的中央设有一个T形的电极,该电极的外侧设有二氧化硅/氮化硅保护层,在T形电极的上方及T形电极旁的基片上设有一层钛/铂/金,在基片的两侧是二氧化硅。该功率晶体管的各项技术指标均达到国际先进水平,能广泛地应用于超高频大功率放大或振荡的场合。

著录项

  • 公开/公告号CN2327071Y

    专利类型

  • 公开/公告日1999-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子工业部第五十五研究所;

    申请/专利号CN97243255.8

  • 发明设计人 张树丹;王因生;林金庭;

    申请日1997-12-22

  • 分类号H01L29/72;

  • 代理机构东南大学专利事务所;

  • 代理人沈廉

  • 地址 210016 江苏省江宁县中山东路524号46分箱

  • 入库时间 2022-08-21 22:39:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-02-13

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 1999-06-30

    授权

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