公开/公告号CN2327071Y
专利类型
公开/公告日1999-06-30
原文格式PDF
申请/专利权人 电子工业部第五十五研究所;
申请/专利号CN97243255.8
申请日1997-12-22
分类号H01L29/72;
代理机构东南大学专利事务所;
代理人沈廉
地址 210016 江苏省江宁县中山东路524号46分箱
入库时间 2022-08-21 22:39:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-02-13
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
1999-06-30
授权
授权
机译: 包括达林顿连接中的功率晶体管和齐纳二极管的功率晶体管器件,该齐纳二极管耦合在功率晶体管的集电极和基极之间并形成在多晶硅膜中
机译: 半导体结构,栅电极与主体区域绝缘,功率晶体管与缓冲电容器和缓冲电阻连接,功率晶体管在硅区域内延伸
机译: 测量绝缘栅双极型功率晶体管的硅温度和过热保护的装置和方法