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魏全生陈季文刘春良;
一四一三所;
机译:InGaAsP / InP双异质结激光器的阈值温度特性分析
机译:条形几何InGaAsP / InP双异质结激光器中空间烧孔的自洽解决方案
机译:InGaAsP / InP双异质结构激光器中阈值电流的温度特性
机译:通过金属有机化学气相沉积法在InGaAs基极和InP集电极之间生长具有InGaAsP梯度的InGaAs / InP双异质结双极晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有19.2%效率的InP异质结太阳能电池电子选择性TiO2触点
机译:InGaAsP / InP激光器和异质结双极晶体管的垂直单片组合
机译:晶格匹配的InGaasp / Inp异质结的界面特性
机译:埋入异质结构的ingaasp / inp半导体二极管激光器的制造方法
机译:具有改善的高频特性的双异质结半导体激光器
机译:通过液相外延制造波长范围为1.2um至1.7um的InGaAsP和InGaAs双异质结构激光器和LED的方法
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