多孔性硅氧化隔离的研究

摘要

＜正＞ 一、前言 随着双极大规模集成电路的迅速发展,隔离技术更加显示出它的重要性。普通的隔离方法,隔离区面积约占整个芯片的1/2以上,限制了集成度的提高。而PN结隔离,隔离面积大,寄生电容大,直接影响IC向大规模高速度方向的发展。怎样改善隔离性能,降低寄生参量,提高集成度,成为人们迫切需要解决的问题。