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机译：在用于形成多孔硅的Stratodi半导体的两个阶段中，对选择性阳极氧化氮杂的方法进行了研究。
公开/公告号IT1306182B1
专利类型
公开/公告日2001-05-30
原文格式PDF
申请/专利权人 SHINE SPA;
申请/专利号IT1999RM00497
发明设计人 DOLGYI LEONID;YAKOVTSEVA VALENTINA;BALUCANI MARCO;FERRARI ALDO;BONDARENKO VITALY;LAMEDICA GIULIO;
申请日1999-08-02
分类号
国家 IT
入库时间 2022-08-22 01:23:13
机译： 在用于形成多孔硅的Stratodi半导体的两个阶段中，对选择性阳极氧化氮杂的方法进行了研究。
机译： 在用于形成多孔硅的Stratodi半导体的两个阶段中，对选择性阳极芳构氮酮进行选择的方法。
机译： 用于半导体存储单元的对准掩模，包括电极形成，介电沉积，选择性填充，颈圈和中空形成等阶段
