用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备

摘要

对N^+型硅衬底上用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备进行了研究。实验过程中通过控制阳极氧化反应中HF溶液的浓度、电流密度和反应时间形成了不同厚度和孔隙度的多孔硅厚膜,并采用两步氧化的方法得到氧化多孔硅厚膜。实验得到的平整的氧化多孔硅厚膜最大厚度为60μm。对氧化多孔硅作为衬底隔离材料应用于硅基射频集成电路进行了初步的探索。