机译:半导体器件,例如金属氧化物半导体场效应晶体管,包括绝缘体衬底上的硅,该绝缘体衬底上具有半导体层,隔离膜,栅电极,中间层隔离膜和填充的接触孔
公开/公告号DE10043183A1
专利类型
公开/公告日2001-04-12
原文格式PDF
申请/专利号DE2000143183
发明设计人 HIRANO YUUICHI;
申请日2000-09-01
分类号H01L27/12;H01L21/84;H01L29/78;H01L27/088;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 01:09:43