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CMOS IC抗闩锁能力的提高及闩锁能力的恒定

         

摘要

本文提出CMOS IC闩锁模式,较为详细地讨论了出现闩锁现象的整个过程,并以此提出改进方法以及如何恒定CMOS IC的抗闩锁能力,其结论为:注入电流在30~50mA以上时,CMOS电路一般不会出现闩锁现象.

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1986年第1期|49-5260|共4页
  • 作者

    王建民; 邓敏坚;

  • 作者单位

    常州半导体厂;

    常州半导体厂;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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