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体硅CMOS寄生参数的数值模拟及抗闩锁能力的测试分析

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本文采用二维数值模拟方法求解体硅CMOS IC的寄生电阻Rs、Rw 值,然后计算其相应的维持电流值,得到了与实验基本相符的结果.最后给出了Rs与设计尺寸的关系.

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来源
《微电子学与计算机》 |1990年第10期|8-12|共5页
作者
林英; 桂力敏;
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作者单位

华东师范大学电子系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
体硅; CMOS; 寄生参数; 数值模拟;

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