首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >研究电子陷阱特性的雪崩注入法

研究电子陷阱特性的雪崩注入法

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

文献数据库（团队版） >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

本文介绍一种研究MIS电容介质膜电子陷阱特性的新型方法——雪崩热电子注入法.文章详细地讲述了雪崩注入法研究电子陷阱特性的实验装置和测试原理;具体给出了如何确定介质膜内的体电子陷阶密度、电子陷阱俘获截面和界面态陷阱状态等;指出了雪崩注入法的优缺点及其应用.

著录项

来源
《半导体技术》 |1989年第6期|44-46|共3页
作者
杨光有;
展开▼
作者单位

华南理工大学物理系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究 [J] . 陈蒲生 ,陈闽捷 ,张昊 . 半导体技术 . 2004,第1期
2. 雪崩热电子注入研究富氮SiO_xN_y纳米级薄膜的陷阱特性 [J] . 陈蒲生 ,章晓文 ,冯文修 . 固体电子学研究与进展 . 2000,第2期
3. 介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法的技术改进——垫高电压 [J] . 杨劲 ,陈蒲生 . 半导体技术 . 1991,第4期
4. 雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_xN_y膜陷阱的影响 [J] . 陈蒲生 ,杨光有 . 半导体学报：英文版 . 1991,第7期
5. 漏雪崩应力下热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究 [J] . 程玉华 ,李瑞伟 ,李志坚 . 半导体学报：英文版 . 1993,第12期
6. 纳米级SiON薄膜界面态陷阱的雪崩热电子注入研究 [C] . 陈蒲生 . '98全国材料表面与界面的科学与工程研讨会 . 1998
7. 纳米柱4H-SiC雪崩光电二极管及PECVD法生长氢化非晶碳化硅的光电特性研究 [A] . 洪荣墩 . 2011

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号