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Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International
Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International
召开年：
召开地：
New Orleans, LA, USA
出版时间：
-
会议文集：
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1.
28th Annual Proceedings. Reliability Physics 1990 (Cat. No.90CH2787-0)
机译：
第28届年度会议论文集。可靠性物理学1990（货号90CH2787-0）
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
2.
Carbon doping effects on hot electron trapping
机译：
碳掺杂对热电子俘获的影响
作者：
Haddad
;
H.
;
Forbes
;
L.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
3.
Carbon doping effects on hot electron trapping
机译：
碳掺杂对热电子俘获的影响
作者：
Haddad H.
;
Forbes L.
;
Burke P.
;
Richling W.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
hot electron trapping;
injection of hot electrons;
submicrometer MOS devices;
limitation;
reliability;
ageing process;
shifts of threshold voltages;
MOS transistors;
ion implantation;
Si:C;
ageing;
carbon;
elemental semiconductors;
hot carriers;
insu;
4.
An improved probe sharpening technique (microelectronics failure analysis)
机译：
改进的探针锐化技术（微电子故障分析）
作者：
Kimball
;
M.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
5.
An improved probe sharpening technique (microelectronics failure analysis)
机译：
改进的探针锐化技术（微电子故障分析）
作者：
Kimball M.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
failure analysis;
electrochemical probe-sharpening technique;
microelectronics applications;
scanning tunneling microscope tips;
monitoring current flow;
etch;
electron probes;
etching;
failure analysis;
integrated circuit testing;
scanning tunnellin;
6.
Drain-avalanche induced hole injection and generation of interface traps in thin oxide MOS devices
机译：
漏极雪崩引起的空穴注入和薄氧化物MOS器件中界面陷阱的产生
作者：
Rakkhit R.
;
Haddad S.
;
Chang C.
;
Yue J.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
7.
Internal friction: a fast technique for electromigration failure analysis
机译：
内摩擦：电迁移失效分析的快速技术
作者：
Vollkommer
;
F.
;
Bohn
;
H.G.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
8.
Internal friction: a fast technique for electromigration failure analysis
机译：
内摩擦：电迁移失效分析的快速技术
作者：
Vollkommer F.
;
Bohn H.G.
;
Robrock K.
;
Schilling W.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
internal friction;
VLSI microelectronic circuits;
interconnects;
electromigration failure analysis;
mechanical energy losses;
vibrating samples;
stress-induced movement;
defects;
thin films;
direct experimental access;
grain boundary diffusion phenom;
9.
Charge loss associated with program disturb stresses in EPROMs
机译：
与EPROM中的程序干扰应力相关的电荷损失
作者：
Miller
;
T.
;
Illyes
;
S.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
10.
Current density dependence of electromigration t/sub 50/ enhancement due to pulsed operation
机译：
电迁移的电流密度依赖性t / sub 50 /由于脉冲操作而增强
作者：
Suehle J.S.
;
Schafft H.A.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
11.
Discrimination of parasitic bipolar operating modes in ICs with emission microscopy
机译：
利用发射显微镜鉴别IC中的寄生双极工作模式
作者：
Boit
;
C.
;
Kolzer
;
J.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
12.
Effects of residual water in spin-on-glass layer on void formation for multilevel interconnections
机译：
玻璃旋涂层中残留水对多层互连空隙形成的影响
作者：
Hirashita N.
;
Aikawa I.
;
Ajioka T.
;
Kobayakawa M.
;
Yokoyama F.
;
Sakaya Y.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
13.
Enhanced reliability of HEMT by using a TiN barrier
机译：
通过使用TiN势垒提高HEMT的可靠性
作者：
Taniguchi
;
M.
;
Amano
;
Y.
会议名称：
《》
|
1990年
14.
A model for EPROM intrinsic charge loss through oxide-nitride-oxide (ONO) interpoly dielectric
机译：
氧化物-氮化物-氧化物（ONO）互介电介质的EPROM本征电荷损失模型
作者：
Wu
;
K.
;
Pan
;
C.-S.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
15.
Performance degradation of n-channel MOS transistors during DC and pulsed Fowler-Nordheim stress
机译：
DC和脉冲Fowler-Nordheim应力下n沟道MOS晶体管的性能下降
作者：
Fishbein
;
B.J.
;
Jackson
;
D.B.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
16.
Reliability study on polycrystalline silicon thin film resistors used in LSIs under thermal and electrical stress
机译：
热应力和电应力下用于LSI的多晶硅薄膜电阻器的可靠性研究
作者：
Akimori H.
;
Owada N.
;
Taneoka T.
;
Uda H.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
17.
Step spacing effects on electromigration
机译：
步距对电迁移的影响
作者：
Oates A.S.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
18.
TEM analysis of failed bits and improvement of data retention properties in megabit-DRAMS
机译：
兆位DRAMS中故障位的TEM分析和数据保留属性的改进
作者：
Onishi
;
S.
;
Ayukawa
;
A.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
19.
The electrical resistance ratio (RR) as a thin film metal monitor
机译：
电阻率（RR）作为薄膜金属监控器
作者：
Baerg
;
W.
;
Wu
;
K.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
20.
A model for EPROM intrinsic charge loss through oxide-nitride-oxide (ONO) interpoly dielectric
机译：
氧化物-氮化物-氧化物（ONO）互介电介质的EPROM本征电荷损失模型
作者：
Wu K.
;
Pan C.-S.
;
Shaw J.J.
;
Freiberger P.
;
Sery G.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
intrinsic charge loss mechanism;
linear ohmic-like conduction;
ONO interpoly dielectric;
EPROM cell;
stacked film;
elevated temperatures;
time evolution characteristics;
initial fast threshold voltage shift;
intrinsic nitride property;
electron trans;
21.
Charge loss associated with program disturb stresses in EPROMs
机译：
与EPROM中的程序干扰应力相关的电荷损失
作者：
Miller T.
;
Illyes S.
;
Baglee D.A.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
LOCOS processing;
program disturb stresses;
EPROMs;
V/sub t/ shifts;
bit line stress;
major reliability issue;
semiconductor manufacturers;
defect mechanism;
programming;
extended read cycles;
circuit reliability;
EPROM;
failure analysis;
integrated;
22.
Discrimination of parasitic bipolar operating modes in ICs with emission microscopy
机译：
利用发射显微镜鉴别IC中的寄生双极工作模式
作者：
Boit C.
;
Kolzer J.
;
Benzinger H.
;
Dallmann A.
;
Herzog M.
;
Qincke J.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
diode structures;
n-type;
S25 photocathode;
forward operation;
CMOS circuits;
parasitic bipolar operating modes;
ICs;
emission microscopy;
bipolar device operation modes;
radiation mechanisms;
parasitic bipolar n-MOS transistor test structures;
image;
23.
Enhanced reliability of HEMT by using a TiN barrier
机译：
通过使用TiN势垒提高HEMT的可靠性
作者：
Taniguchi M.
;
Amano Y.
;
Nemoto T.
;
Shinohara K.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
diffusion barrier;
HEMT;
TiN barrier;
Auger electron spectroscopy;
failure mechanism;
high temperature storage;
operating life tests;
outdiffusion;
ohmic areas;
overlay metal;
degradation;
mean time to failure;
channel temperature;
125 degC;
10/sup 8;
24.
Performance degradation of n-channel MOS transistors during DC and pulsed Fowler-Nordheim stress
机译：
DC和脉冲Fowler-Nordheim应力下n沟道MOS晶体管的性能下降
作者：
Fishbein B.J.
;
Jackson D.B.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
VLSI;
dielectric failure;
nMOSFET;
MOS transistors;
pulsed Fowler-Nordheim stress;
performance degradation;
measured performance parameters;
threshold voltage;
peak transconductance;
saturation-region drain current;
moderate degradation levels;
unive;
25.
TEM analysis of failed bits and improvement of data retention properties in megabit-DRAMS
机译：
兆位DRAMS中故障位的TEM分析和数据保留属性的改进
作者：
Onishi S.
;
Ayukawa A.
;
Tanaka K.
;
Sakiyama K.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
ULSI;
TEM analysis;
failed bits;
data retention properties;
megabit-DRAMS;
dislocation lines;
sidewall edge;
cell plate;
data retention errors;
elongated dislocation lines;
annealing treatment;
dislocation density;
transfer gate;
yields;
As implantat;
26.
The electrical resistance ratio (RR) as a thin film metal monitor
机译：
电阻率（RR）作为薄膜金属监控器
作者：
Baerg W.
;
Wu K.
;
Davies P.
;
Dao G.
;
Fraser D.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
VLSI interconnects;
electrical resistance ratio;
thin film metal monitor;
electromigration median-time-to-fail;
median-grain-radius;
77 to 298 K;
AlSi films;
AlSi:N;
AlSi:H/sub 2/O;
aluminium alloys;
electromigration;
electronic conduction in metalli;
27.
Analysis of thin film ferroelectric aging
机译：
薄膜铁电时效分析
作者：
Fisch
;
D.E.
;
Abt
;
N.E.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
28.
Are electromigration failures lognormally distributed?
机译：
电迁移故障是否对数正态分布？
作者：
Towner J.M.
会议名称：
《》
|
1990年
29.
Correlation of total gate current fluence with PMOS degradation
机译：
总栅极电流通量与PMOS降级的相关性
作者：
Reimbold G.
;
Saint-Bonnet P.
;
Gautier J.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
30.
Electrical conduction and breakdown in sol-gel derived PZT thin films
机译：
溶胶-凝胶衍生的PZT薄膜的电导和击穿
作者：
Moazzami
;
R.
;
Hu
;
C.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
31.
Electromigration performance of CVD-W/Al-alloy multilayered metallization
机译：
CVD-W /铝合金多层金属化层的电迁移性能
作者：
Martin
;
C.A.
;
Ondrusek
;
J.C.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
32.
Error analysis for optimal design of accelerated tests (electromigration)
机译：
误差分析，用于优化设计的加速测试（电迁移）
作者：
Hannaman D.J.
;
Zamani N.
;
Dhiman J.
;
Buehler M.G.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
33.
Extended data retention characteristics after more than 10/sup 4/ write and erase cycles in EEPROMs
机译：
在EEPROM中超过10 / sup 4 /写和擦除周期后，扩展了数据保留特性
作者：
Aritome
;
S.
;
Kirisawa
;
R.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
34.
Hot-carrier reliability of bipolar transistors
机译：
双极晶体管的热载流子可靠性
作者：
Burnett
;
D.
;
Hu
;
C.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
35.
Improvement of electromigration resistance of layered aluminum conductors
机译：
改善层状铝导体的耐电迁移性
作者：
Hinode K.
;
Homma Y.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
36.
A new technique for imaging the logic state of passivated conductors: biased resistive contrast imaging (CMOS devices)
机译：
用于对钝化导体的逻辑状态进行成像的新技术：偏置电阻对比成像（CMOS器件）
作者：
Cole E.I. Jr.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
37.
A newly developed model for stress induced slit-like voiding
机译：
应力引起的缝隙状空隙的新开发模型
作者：
Kaneko
;
H.
;
Hasunuma
;
M.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
38.
A newly developed model for stress induced slit-like voiding
机译：
应力引起的缝隙状空隙的新开发模型
作者：
Kaneko H.
;
Hasunuma M.
;
Sawabe A.
;
Kawanoue T.
;
Kohanawa Y.
;
Komatsu S.
;
Miyauchi M.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
thermodynamic analysis;
model;
stress induced slit-like voiding;
stress-induced voiding;
slit-like void;
origin of metal line open failures;
grain boundaries;
wedge-shaped voids;
surface free energy;
void growth;
spontaneous deformation;
degree of;
39.
Analysis of thin film ferroelectric aging
机译：
薄膜铁电时效分析
作者：
Fisch D.E.
;
Abt N.E.
;
Bens F.N.
;
Miller W.D.
;
Pramanik T.
;
Saiki W.
;
Shepherd W.H.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
acceleration models;
retention predictions;
NVRAM;
thin film ferroelectric;
effects of temperature;
electric field;
number of polarization reversals;
ferroelectric memory aging;
ferroelectric capacitors;
memory products;
signal loss;
log of time;
rea;
40.
Electrical conduction and breakdown in sol-gel derived PZT thin films
机译：
溶胶-凝胶衍生的PZT薄膜的电导和击穿
作者：
Moazzami R.
;
Hu C.
;
Shepherd W.H.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
electrical conduction;
electric breakdown;
storage dielectric;
DRAM applications;
sol-gel deposition;
ohmic behavior;
low fields;
exponential field dependence;
high fields;
conduction characteristics;
ionic conductivity;
leakage;
time-dependent diele;
41.
Electromigration performance of CVD-W/Al-alloy multilayered metallization
机译：
CVD-W /铝合金多层金属化层的电迁移性能
作者：
Martin C.A.
;
Ondrusek J.C.
;
McPherson J.W.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
time to failure;
VLSI;
multilayered metallization;
electromigration test results;
rough surface texture;
underlying chemical vapor deposition;
current-density exponent;
activation energy;
W-AlSi;
W-AlCu;
W surface texture;
aluminium alloys;
copper al;
42.
Extended data retention characteristics after more than 10/sup 4/ write and erase cycles in EEPROMs
机译：
在EEPROM中超过10 / sup 4 /写和擦除周期后，扩展了数据保留特性
作者：
Aritome S.
;
Kirisawa R.
;
Endoh T.
;
Nakayama R.
;
Shirota R.
;
Sakui K.
;
Ohuchi K.
;
Masuoka F.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
10000 cycles;
10/sup 4/ write and erase cycles;
EEPROMs;
FETMOS cell;
self-aligned double poly-Si stacked structure;
uniform write and erase technology;
gradual detrapping of electrons;
suppresses data loss;
floating gate;
uniform write and uniform e;
43.
Hot-carrier reliability of bipolar transistors
机译：
双极晶体管的热载流子可靠性
作者：
Burnett D.
;
Hu C.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
hot carrier reliability;
reverse bias;
reverse current;
bipolar transistors;
bipolar degradation;
excess base current;
nonlocal effect in electron temperature;
narrow depletion width;
quasistatic model;
SPICE circuit simulation;
BiCMOS inverter;
diff;
44.
Building reliability into EPROMs
机译：
在EPROM中建立可靠性
作者：
Baglee
;
D.A.
;
Nannemann
;
L.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
45.
Distribution phenomena of charged defects and neutral electron traps in process-induced radiation-damaged IGFETs with gate insulators grown at 1000 degrees C and 800 degrees C
机译：
栅绝缘体在1000摄氏度和800摄氏度下生长的过程感应辐射损坏IGFET中带电缺陷和中性电子陷阱的分布现象
作者：
Walters M.
;
Reisman A.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
46.
Observation of stress-induced voiding with an ultra-high voltage electron microscope
机译：
用超高压电子显微镜观察应力诱发的空洞
作者：
Tanikawa
;
A.
;
Okabayashi
;
H.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
47.
Oxide-nitride-oxide antifuse reliability
机译：
氧化物-氮化物-氧化物反熔丝的可靠性
作者：
Chiang
;
S.
;
Wang
;
R.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
48.
Reliability aspects of thermally stable LaB/sub 6/-Au Schottky contacts to GaAs
机译：
热稳定的LaB / sub 6 / -Au肖特基触点对GaAs的可靠性方面
作者：
Wurfl
;
J.
;
Singh
;
J.K.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
49.
Simulation and testing of temperature distribution and resistance versus power for SWEAT and related Joule-heated metal-on-insulator structures
机译：
仿真和测试SWEAT和相关的焦耳加热绝缘体上金属结构的温度分布以及电阻与功率的关系
作者：
Crowell C.R.
;
Shih C.C.
;
Tyree V.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
50.
Temperature-cycling acceleration factors for aluminium metallization failure in VLSI applications
机译：
VLSI应用中铝金属化失效的温度循环加速因子
作者：
Dunn
;
C.F.
;
McPherson
;
J.W.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
51.
Thermal breakdown of VLSI by ESD pulses
机译：
ESD脉冲导致VLSI热击穿
作者：
Lin
;
D.L.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
52.
Building reliability into EPROMs
机译：
在EPROM中建立可靠性
作者：
Baglee D.A.
;
Nannemann L.
;
Huang C.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
process interaction assessment;
EPROMs;
reliable process;
high volume environment;
process capability;
manufacturing environment;
manufacturing control;
process monitoring;
circuit reliability;
EPROM;
integrated circuit manufacture;
monitoring;
proce;
53.
Distribution phenomena of charged defects and neutral electron traps in process-induced radiation-damaged IGFETs with gate insulators grown at 1000 degrees C and 800 degrees C
机译：
栅绝缘体在1000摄氏度和800摄氏度下生长的过程感应辐射损坏IGFET中带电缺陷和中性电子陷阱的分布现象
作者：
Walters M.
;
Reisman A.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
radiation damage;
X-ray irradiation;
charged defects;
neutral electron traps;
IGFETs;
gate insulators;
irradiation;
optically assisted electron injection;
injection;
measured voltage shifts;
radiation-induced extrinsic defects;
gate oxide thickness;
54.
Oxide-nitride-oxide antifuse reliability
机译：
氧化物-氮化物-氧化物反熔丝的可靠性
作者：
Chiang S.
;
Wang R.
;
Chen J.
;
Hayes K.
;
McCollum J.
;
Hamdy E.
;
Hu C.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
low resistance antifuses;
FPGA;
antifuse reliability;
time-dependent dielectric breakdown;
TDDB;
programmed antifuse resistance stability;
ONO antifuses;
oxide antifuses;
accelerated burn-in;
acceleration model;
SiO/sub 2/-Si/sub 3/N/sub 4/-SiO/sub 2;
55.
Reliability aspects of thermally stable LaB/sub 6/-Au Schottky contacts to GaAs
机译：
热稳定的LaB / sub 6 / -Au肖特基触点对GaAs的可靠性方面
作者：
Wurfl J.
;
Singh J.K.
;
Hartnagel H.L.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
XPS sputter profiling;
MESFET;
Schottky contacts;
systematic investigation;
degradation mechanisms;
barrier height;
low leakage current device operation;
elevated temperatures;
high thermal stability;
sophisticated fabrication processes;
ion implanta;
56.
Simulation and testing of temperature distribution and resistance versus power for SWEAT and related Joule-heated metal-on-insulator structures
机译：
仿真和测试SWEAT和相关的焦耳加热绝缘体上金属结构的温度分布以及电阻与功率的关系
作者：
Crowell C.R.
;
Shih C.C.
;
Tyree V.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
standard wafer-level acceleration test;
stability control;
SWEAT structures;
TEARS model;
time to failure;
temperature distribution;
resistance;
Joule-heated metal-on-insulator structures;
imminent thermal runaway;
metal films;
linear resistance-vers;
57.
Temperature-cycling acceleration factors for aluminium metallization failure in VLSI applications
机译：
VLSI应用中铝金属化失效的温度循环加速因子
作者：
Dunn C.F.
;
McPherson J.W.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
low cycle fatigue data stress induced voiding;
VLSI applications;
failure mechanisms;
fractured intermetallic bond failure;
chip-out bond failure;
shear-stress-induced metal movement;
passivation cracking;
tensile-stress-induced metal notching;
stres;
58.
Thermal breakdown of VLSI by ESD pulses
机译：
ESD脉冲导致VLSI热击穿
作者：
Lin D.L.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
VLSI thermal breakdown;
ESD pulses;
three-dimensional thermal model;
temperature rise;
voltage build-up;
VLSI devices;
human-body model;
HBM;
electrostatic discharges;
ESD;
failure thresholds;
failure sites;
experimental results;
ESD protection circu;
59.
Effect of mold compound components on moisture-induced degradation of gold-aluminium bonds in epoxy encapsulated devices
机译：
模塑化合物组分对湿气诱导的环氧封装设备中金铝键降解的影响
作者：
Gallo A.A.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
60.
h/sub FE/ instability and 1/f noise in bipolar transistors
机译：
双极晶体管中的h / sub FE /不稳定性和1 / f噪声
作者：
Yiqi Z.
;
Qing S.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
61.
Reduction of signal voltage of DRAM cell induced by discharge of trapped charges in nano-meter thick dual dielectric film (SiO/sub 2//Si/sub 3/N/sub 4/)
机译：
纳米厚双介电膜（SiO / sub 2 // Si / sub 3 / N / sub 4 /）中捕获的电荷放电引起的DRAM单元信号电压降低
作者：
Kumagai J.
;
Toita K.
;
Kaki S.
;
Sawada S.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
62.
Relation between thehot carrier lifetime of transistors and CMOS SRAM products
机译：
晶体管的热载流子寿命与CMOS SRAM产品之间的关系
作者：
van der Pol
;
J.A.
;
Koomen
;
J.J.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
63.
Reliability simulator for interconnect and intermetallic contact electromigration
机译：
互连和金属间接触电迁移的可靠性模拟器
作者：
Liew
;
B.K.
;
Fang
;
P.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
64.
Use of advanced analytical techniques for VLSI failure analysis
机译：
使用先进的分析技术进行VLSI故障分析
作者：
Banerjee
;
I.
;
Tracy
;
B.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
65.
Effect of mold compound components on moisture-induced degradation of gold-aluminium bonds in epoxy encapsulated devices
机译：
模塑化合物组分对湿气诱导的环氧封装设备中金铝键降解的影响
作者：
Gallo A.A.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
mold compound components;
moisture-induced degradation;
epoxy encapsulated devices;
IC devices;
plastic packages;
loss of strength;
autoclave testing;
bonding strength;
steam-autoclave time;
designed experiment;
ball-lift;
brominated flame retardants;
66.
Relation between thehot carrier lifetime of transistors and CMOS SRAM products
机译：
晶体管的热载流子寿命与CMOS SRAM产品之间的关系
作者：
van der Pol J.A.
;
Koomen J.J.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
SRAM chip lifetime;
hot carrier lifetime of transistors;
CMOS SRAM products;
hot-carrier degradation;
static RAMs;
access times;
minimum operating voltage;
write times;
transistor lifetimes;
voltage dependence;
product lifetime;
transistor degradatio;
67.
Reliability simulator for interconnect and intermetallic contact electromigration
机译：
互连和金属间接触电迁移的可靠性模拟器
作者：
Liew B.K.
;
Fang P.
;
Cheung N.W.
;
Hu C.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
intermetallic contact electromigration;
interconnect electromigration time-to-failure;
current waveforms;
circuit electromigration reliability simulator;
layout advisory;
user-specified reliability requirements;
overall circuit electromigration failu;
68.
Use of advanced analytical techniques for VLSI failure analysis
机译：
使用先进的分析技术进行VLSI故障分析
作者：
Banerjee I.
;
Tracy B.
;
Davies P.
;
McDonald B.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
focused ion beam microsurgery;
advanced analytical techniques;
VLSI failure analysis;
scanning electron microscopy;
SEM;
transmission electron microscopy;
TEM;
FIB;
secondary ion mass spectroscopy;
SIMS;
defects;
potential device reliability problems;
69.
Direct measurement of stress-induced void growth by thermal wave modulated optical reflectance image
机译：
通过热波调制的光学反射率图像直接测量应力引起的空隙生长
作者：
Smith L.W.
;
Welles C.
;
Bivas A.
;
Yost F.G.
;
Campbell J.E.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
70.
Electrical measurements of moisture penetration through passivation
机译：
通过钝化作用渗透水分的电气测量
作者：
Shirley C.G.
;
Maston S.C.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
71.
Measurement of three dimensional stress and modeling of stress induced migration failure in aluminium interconnects
机译：
铝互连中的三维应力测量和应力引起的迁移破坏建模
作者：
Tezaki A.
;
Mineta T.
;
Egawa H.
;
Noguchi T.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
72.
Measurement of three dimensional stress and modeling of stress induced migration failure in aluminium interconnects
机译：
铝互连中的三维应力测量和应力引起的迁移破坏建模
作者：
Tezaki A.
;
Mineta T.
;
Egawa H.
;
Noguchi T.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
3D stress measurement;
modeling of stress induced migration failure;
aluminium interconnects;
measurements of mechanical stress;
kinetic failure model;
stress-measurement method;
X-ray diffractometry;
three-dimensional mechanical stresses;
open failu;
73.
Evolution of VLSI reliability engineering
机译：
VLSI可靠性工程的演变
作者：
Crook
;
D.L.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
74.
Evolution of VLSI reliability engineering
机译：
VLSI可靠性工程的演变
作者：
Crook D.L.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
VLSI reliability engineering;
microcomputer chips;
transistors;
failure rates;
accelerated product life tests;
wafer-level reliability measurement techniques;
complex VLSI circuits;
reliability engineering;
manufacturing community;
failure rate goals;
75.
Reliability study of thin inter-poly dielectrics for non-volatile memory application
机译：
非易失性存储器应用中的薄型多晶硅间电介质的可靠性研究
作者：
Mori
;
S.
;
Kaneko
;
Y.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
76.
Reliability study of thin inter-poly dielectrics for non-volatile memory application
机译：
非易失性存储器应用中的薄型多晶硅间电介质的可靠性研究
作者：
Mori S.
;
Kaneko Y.
;
Arai N.
;
Ohshima Y.
;
Araki H.
;
Narita K.
;
Sakagami E.
;
Yoshikawa K.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
nonvolatile memory applications;
UV erase characteristics;
thin inter-poly dielectrics;
leakage current;
intrinsic limitations;
stacked film;
electric field strength;
inherent electron trapping-assisted self-limiting process;
EPROM cells;
scaling-dow;
77.
Observation of stress-induced voiding with an ultra-high voltage electron microscope
机译：
用超高压电子显微镜观察应力诱发的空洞
作者：
Tanikawa A.
;
Okabayashi H.
;
Mori H.
;
Fujita H.
会议名称：
《Reliability Physics Symposium, 1990. 28th Annual Proceedings., International》
|
1990年
关键词：
UHVEM;
stress-induced voiding;
ultra-high voltage electron microscope;
bamboo grain structure;
study of nucleation;
growth of voids;
in situ observations;
initial stages of voiding;
grain boundaries;
passivation/Al interfaces;
dislocation glide;
temp;
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