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杨劲; 陈蒲生;
机电部广州电器科学研究所;
华南理工大学应用物理系;
介质膜; 电荷陷阱; 注入; 垫高电压;
机译:从主导于表面电荷陷阱的二级电子发射的过渡沿着真空介电表面沿着固体介电表面支配电子雪崩过程
机译:功能性栅极金属氧化物半导体场效应晶体管,采用隧道注入/陷阱电荷注入,可实现超低功耗工作的自可调阈值电压
机译:在Al‐SiO2‐Si电容器上进行雪崩注入期间,正电荷对平带电压偏移的影响
机译:具有工程介电堆栈和SiGe通道的电荷陷阱闪存设备的改进的操作特性
机译:基于氮化物的局部电荷陷阱非易失性存储器件的阈值电压不稳定性。
机译:陷阱辅助电荷注入到大带隙聚合物半导体中
机译:热氧化物中雪崩电荷注入与辐射诱导载流子俘获的过程变量依赖性及相互关系
机译:半导体存储器元件的电压特性的调整方法,半导体存储器装置的电压特性的调整方法,电荷泵的电压调整方法以及电荷泵的电压调整方法
机译:存储单元非易失性两位陷阱层存储器单元,例如存储卡,涉及在栅电极和基板部分之间施加电压,以便将电荷载流子注入到存储元件中
机译:调节半导体存储单元的电压特性的方法,调节半导体存储装置的电压特性的方法,电荷泵以及调节电荷泵的电压的方法
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