机译:薄氧化物MOS器件中的漏雪崩和空穴陷阱引起的栅极泄漏
机译:在2.1 nm厚的栅极氧化物P-MOSFET中的空穴注入下生成界面陷阱的效率
机译:MOS器件中的分子氢,E'中心空穴陷阱和辐射诱导的界面陷阱
机译:稀疏 - 雪崩诱导空穴注入和薄氧化物MOS装置中的界面陷阱产生
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:使用氧化镍空穴注入层控制高效稳定的准2D钙钛矿型发光二极管的界面缺陷
机译:FN注入氧化物场应力引起的应力后界面陷阱产生
机译:工作频率对mOs器件中陷阱和辐射诱导积累的影响