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蔡思民; 陆家和;
清华大学无线电电子学系;
机译:机械化学蚀刻的表面结构依赖性:Si(100),Si(110)和Si(111)的扫描基于探针的纳米线轮廓研究
机译:O_2 - YB-Si(111)和Co-YB-Si(111)和Co-Yb - Si(111)和Co-Yb - Si(111)方法的研究的研究
机译:低能电子衍射和扫描隧道显微镜研究Si(111)-(7×7)上碲的表面结构
机译:LEED的表面结构研究和结构测定(√3×√3)镍锌(111)上的Si-吸附型
机译:使用射频电浆辅助化学束磊晶成长氮化铟磊晶材料于表面氮化处理矽(111)基板之研究 =Investigation of Epi-InN Materials Grown on Surface Nitride Si (111) Substrate by RF-CBE
机译:Si(111)-7×7-CH3OH表面线性Fe团簇结构的形成过程和模型研究
机译:在形成Sylycide薄膜的过程中观察到在Si(111)和Si(100)中观察到的表面结构变换
机译:si(111)7×7表面结构。
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:Si100 / Si111硅蚀刻剂组合物表现出低Si100 / Si111选择性和低碳化硅蚀刻速率
机译:111在高级栅极电介质上在Si111上生产超薄晶态氮化硅的工艺
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