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关荣敏; 蓝田;
成都电子科技大学化学系;
金属; 非金属; LEED谱; 吸附表面结构; 硅表面;
机译:Na吸附对Si(111)√3×√3-Au表面结构和电子性能的影响
机译:高分辨率扫描隧道显微镜在Si(111)7×7上糖基甘氨酸的双齿状表面结构:通过N-H和O-H或双N-H离解的特定位置吸附
机译:LEED I-V曲线的Patterson函数分析金属吸附的Si(111)表面的表面结构
机译:CuPc,F_(16)CuPc吸附Si(111)-(7〜(1/2)×3〜(1/2))-在表面结构,电子状态,超导测量
机译:使用从头算簇计算研究Al在Si(111)表面的吸附以及卤化物/水在电极表面的吸附
机译:吸附层对吸附原子扩散和岛形核的影响:Fe对Si(111)-√3x√3-Au的影响
机译:单晶Pt(111),Pt(100)和Pt(110)电极中表面原子结构与可逆氢吸附-解吸过程的相关性原子表面结构与单晶氢可逆吸附-解吸之间的相关性晶体Pt(111),Pt(100)和Pt(110)电极
机译:用低能电子衍射研究铂和银(111)晶面上分子晶体和吸附分子单分子层的表面结构
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:Si100 / Si111硅蚀刻剂组合物表现出低Si100 / Si111选择性和低碳化硅蚀刻速率
机译:111在高级栅极电介质上在Si111上生产超薄晶态氮化硅的工艺
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