硅N+/NP连续反型外延生长过渡区的改善

摘要

＜正＞本文给出用外延工艺制备较窄的硅PN结补偿区的一种方法.这种工艺方法是在N型外延层生长结束后,预先通入P型掺杂剂硼烧一定时间,然后再进行P型层的生长,简称掺杂净化工艺.用该方法已能在同一炉中生长P层与N层,浓度与厚度均能较好地控制,制备的P-N补偿区最佳值在0.3μ以内.同时采用氯化氢（1030℃）低温腐蚀工艺,改善了N+/N的过渡区,N+/N过渡区≤0.2μ.工艺重复性较好.