新型高性能SOI/SDB互补埋沟反相器的研究

摘要

＜正＞ 一、引言 应用SOI衬底制备的集成电路具有集成密度高、工艺简单、高速、高可靠性及易三维集 成等优点,可望成为VLSI数字系统的理想工艺。目前,国内外SOI技术的主要研究领域有两个方面,一是SOI衬底的制备,所采用的方法有SOS,离子注入隐埋层及区熔再结晶等,这些方法所制备的SOI衬底的单晶质量远不如体单晶硅,且价格昂贵,应用于VLSI受到限制;二是将常规体硅器件结构应用到SOI衬底中,这种简单的器件结构的移植往往不能充分发挥SOI技术的潜力,也不能有效地克服体硅器件结构本身的各种负效应。基于以上原因,本研究提出了一种制备高质量SOI衬底的方法——氧化硅片固态扩散键合工艺,利用这种高质量SOI衬底的特点及通过深入研究体硅器件结构的各种负效应,提出了一种高性能SOI互补埋沟反相器（简称SDB/CBCFET）,利用所开发的三维稳态及瞬态模拟程序对这种新型反相器的性能进行了数值分析。