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硅片直接键合制备SOI及高压器件的研究

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摘要

＜正＞一、引言集成电路超大规模、超高速、高可靠以及功率集成等前沿课题研究的深入,使SOI材料的开发一直成为人们十分重视的领域。制备SOI材料的方法很多,如硅的高能氧注入,能量束对

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来源
《固体电子学研究与进展》 |1988年第4期|370-372|共3页
作者
孙国梁;
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作者单位

东南大学微电子中心;

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正文语种 chi
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