一种采用共晶键合与SOI硅片的MEMS硅麦克风及其制备方法

摘要

本发明涉及一种采用共晶键合与SOI硅片的MEMS硅麦克风及其制备方法，其包括背极板及振膜体；背极板与振膜体通过共晶键合连接；振膜体包括SOI硅基，SOI硅基包括振动薄膜，SOI硅基内刻蚀有深坑；背极板内设有贯通背极板的分离槽，形成相分离的第一极板区域及第二极板区域；第二极板区域内设有若干贯通第二极板区域的声孔，声孔与下方的深坑相对应分布；第二极板区域对应设置声孔且邻近振动薄膜的区域表面与振动薄膜间具有气隙；第一极板区域上设有第一金属焊盘；第二极板区域对应远离振动薄膜的表面设有第二金属焊盘，第二极板区域对应的背极板通过绝缘介质层与振动薄膜绝缘隔离。本发明结构简单紧凑，制备方便，提高电容式硅麦克风的良率与灵敏度。