MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究

摘要

微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究,分析了衬底片残余应力变形与SOI面形之间的对应关系,用破坏性剪切试验、埋氧层腐蚀等方法研究了衬底层变形对键合质量的影响。结果表明:衬底层的键合面存在一定程度的凸起变形时,Cavity-SOI片的键合质量最好。