SOI键合硅片的制备方法

摘要

一种SOI键合硅片的制备方法，包括氧化步骤、注入步骤、键合步骤、一次退火步骤、裂片步骤、二次退火步骤、刻蚀步骤、抛光步骤，所述氧化步骤、注入步骤、键合步骤、一次退火步骤、裂片步骤、二次退火步骤、刻蚀步骤、抛光步骤依次进行，所述刻蚀步骤中，刻蚀方式为等离子刻蚀，刻蚀原子量为1E12/cm2‑1E22/cm2。其有益效果是：可以去除SOI硅片表面的损伤层，改善SOI层膜厚均匀性，再进行大约10nm‑50nm的机械抛光，就可以制造超薄的SOI层。