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张波; 俞文杰; 薛忠营; 魏星;
信息功能材料国家重点实验室;
上海微系统与信息技术研究所;
中国科学院;
镍; 硅锗; 碳;
机译:C〜+离子注入对NiSiGe / SiGe触点电性能的影响
机译:在选择性离子注入的衬底上生长的单轴应变SiGe(111)和SiGe(100)
机译:离子注入Si顺应性衬底上生长的弛豫SiGe薄膜的研究
机译:通过离子注入衬底的过氧化制备的4H-SiC MOS结构的界面特性的系统研究
机译:III-V衬底上具有硅界面钝化作用的氧化and的电气和材料特性的研究,以用于将来的规模化CMOS技术
机译:衬底和表面等离激元对拓扑绝缘体Bi2Te3的衬底界面处对称破坏的影响
机译:蓝宝石衬底上采用离子注入的高迁移率SiGe / Si晶体管结构
机译:采用离子注入的蓝宝石衬底上的高迁移率siGe / si晶体管结构
机译:氧化SiGe层的表面区域的方法,稳定SGOI结构中的至少一个结界面的方法以及将SiGe层接合到由半导体材料制成的衬底层的方法
机译:包括硅单晶衬底在内的形成物具有在上述右表面上累积的SiGe的背面和背面的SiGe的产生方式,该晶片变成
机译:通过离子注入和热退火在硅或绝缘体上硅衬底上松弛的SiGe层
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