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陈建新; 邹德恕; 张时明; 韩军; 沈光地;
北京工业大学电子工程系;
北京市光电子技术实验室;
SiGe; LPE法硅; 外延生长; 电子特性;
机译:通过分子束外延在Si(001)和Ge(001)衬底上生长的SiGe外延层的结构研究:Ⅱ-透射电子显微镜和原子力显微镜
机译:块状单晶SiGe和Si衬底上Si / SiGe应变层超晶格的生长和表征
机译:具有在Si衬底上生长的薄Ge缓冲层的SiGe虚拟衬底的热稳定性研究
机译:LPE在Si(100)衬底上生长的SiGe层的缺陷分布和形貌发展
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:纳米断层扫描技术在坑式Si(001)衬底上生长的SiGe岛中的合金化和应变松弛
机译:在块状单晶SiGe和Si衬底上的UHV / CVD SiGe外延层的生长和表征
机译:使用siGe缓冲层在si衬底上生长的单结InGap / Gaas太阳能电池
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:在衬底上的掩埋氧化物层上形成Si和SiGe或SiGeC的交替区域的方法
机译:一种制造半导体器件的方法,该方法包括通过汽相淀积在选择性氧化的Si衬底上同时生长外延和多晶硅层的Si层
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