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李强; 乔颖; 杨杰; 于民; 王金延; 黄如; 张兴;
北京大学微电子学研究院;
锗硅; 离子注入; 分子动力学; 模拟;
机译:在选择性离子注入的衬底上生长的单轴应变SiGe(111)和SiGe(100)
机译:离子注入Si顺应性衬底上生长的弛豫SiGe薄膜的研究
机译:使用油浸拉曼光谱法通过选择性Ar +离子注入在Si衬底上外延生长的SiGe中与模式有关的各向异性应力评估
机译:离子剂量对离子注入Si衬底上弛豫SiGe层生长的影响
机译:通过碳化和单晶衬底的离子注入开发碳化硅衬底。
机译:SiGe和GaAs衬底上铁电BaTiO3薄膜的分子束外延研究及其应用
机译:蓝宝石衬底上采用离子注入的高迁移率SiGe / Si晶体管结构
机译:采用离子注入的蓝宝石衬底上的高迁移率siGe / si晶体管结构
机译:Si-蚀刻溶液是无铬的和SiGe-衬底的衬底,通过使用SiGe-Si-衬底和蚀刻溶液的蚀刻溶液工艺来处理衬底的缺陷和指示方法
机译:用于Si衬底和SiGe衬底的无铬蚀刻溶液,使用该蚀刻溶液显示缺陷的方法以及使用该蚀刻溶液处理Si衬底和SiGe衬底的方法
机译:通过离子注入和热退火在硅或绝缘体上硅衬底上松弛的SiGe层
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